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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:17.9W€3.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A€10.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:41nC@4.5V

    输入电容:3.95nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:21mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:17.9W€3.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A€10.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369BDS-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369BDS-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:745pF@15V

    连续漏极电流:5.6A€7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-E3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-E3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:41nC@4.5V

    输入电容:3.95nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:21mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订数1200个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订数1200个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,3.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:41nC@4.5V

    输入电容:3.95nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:21mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:41nC@4.5V

    输入电容:3.95nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:21mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:17.9W€3.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A€10.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:17.9W€3.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A€10.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS05DN-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65.7W€5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.93nF@15V

    连续漏极电流:108A€29.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2393DS-T1-GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2393DS-T1-GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2393DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:980pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€7.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22.7mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@5V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483DJ-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483DJ-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:19W

    阈值电压:2.2V@250μA

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:21mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,5.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    输入电容:1.96nF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@10V,10A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@5V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483DJ-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483DJ-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:19W

    阈值电压:2.2V@250μA

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:21mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:250nC@10V

    输入电容:8.65nF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:36nC@10V

    输入电容:1.295nF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:6nF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,15A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,5.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    输入电容:1.96nF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@10V,10A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:3.345nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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