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销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2301F
阈值电压：1V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：95mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2015-3/TR
功率：800mW
阈值电压：810mV@250μA
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5V，2.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301F
阈值电压：1V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：95mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
栅极电荷：7.3nC@10V
输入电容：299pF@20V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：2.2A
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2015-3/TR
功率：800mW
阈值电压：810mV@250μA
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5V，2.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15S
阈值电压：2.2V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
导通电阻：277mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
