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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：2.3A
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：17.7nC@10V
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
输入电容：637pF@30V
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P-ES
功率：1.4W
阈值电压：700mV
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN340P-ES
功率：1.4W
阈值电压：700mV
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P-ES
功率：1.4W
阈值电压：700mV
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401CI-ES
功率：1.4W
阈值电压：700mV
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDN340P-ES
功率：1.4W
阈值电压：700mV
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401CI-ES
功率：1.4W
阈值电压：700mV
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401CI-ES
功率：1.4W
阈值电压：700mV
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2015-3/TR-ES
功率：1.4W
阈值电压：700mV
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P-ES
功率：1.4W
阈值电压：700mV
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3401CI-ES
功率：1.4W
阈值电压：700mV
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：90mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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