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品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT15P04D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：50W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
反向传输电容：35pF@20V
导通电阻：29mΩ@10V，7.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：8A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
漏源电压：20V
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
输入电容：2.694nF@10V
类型：1个P沟道
栅极电荷：36nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20P04D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：50W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
反向传输电容：35pF@20V
导通电阻：29mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20P04D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：50W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
反向传输电容：35pF@20V
导通电阻：29mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20P04D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：50W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
反向传输电容：35pF@20V
导通电阻：29mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20P04D
连续漏极电流：20A
阈值电压：1.5V@250μA
漏源电压：40V
功率：50W
栅极电荷：25nC@10V
导通电阻：29mΩ@10V，10A
工作温度：-55℃~+175℃
反向传输电容：35pF@20V
输入电容：930pF@20V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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