品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8690-TL-H
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:955pF@20V
连续漏极电流:4.7A€3.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:55mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6322C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA€410mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6321C
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道+1个P沟道
漏源电压:25V
功率:300mW
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:500mA€410mA
输入电容:50pF@10V
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6332C
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道+1个P沟道
输入电容:113pF@10V
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:700mA€600mA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: