品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:8.8nC@10V
输入电容:383pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:21mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:9.8nC@10V
输入电容:501pF@15V
连续漏极电流:6.5A€4.2A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:20mΩ@7.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:9.8nC@10V
输入电容:501pF@15V
连续漏极电流:6.5A€4.2A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:20mΩ@7.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3650J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷:14.8nC@10V€11.1nC@10V
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:66.5pF@15V€66pF@15V
导通电阻:32mΩ@10V,6A€17mΩ@10V,6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ4503A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:5.2nC@10V
输入电容:255pF@15V
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:35pF@15V
导通电阻:30mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3008CBKS,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:445mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:350mA€200mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6602SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:3.4A€2.8A
类型:N和P沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:9.8nC@10V
输入电容:501pF@15V
连续漏极电流:6.5A€4.2A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:20mΩ@7.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
连续漏极电流:6.1A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:6.4A€4.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:26mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM4606
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:7.5nC@10V
输入电容:398pF@15V
连续漏极电流:6.9A€6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:61pF@15V
导通电阻:19mΩ@10V,6.9A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM6333C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@10V
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:2.5A€3A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:20pF@15V
导通电阻:52mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM6333C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@10V
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:2.5A€3A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:20pF@15V
导通电阻:52mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM6333C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@10V
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:2.5A€3A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:20pF@15V
导通电阻:52mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM6333C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@10V
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:2.5A€3A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:20pF@15V
导通电阻:52mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3650J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷:14.8nC@10V€11.1nC@10V
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:66.5pF@15V€66pF@15V
导通电阻:32mΩ@10V,6A€17mΩ@10V,6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM6333C
漏源电压:30V
反向传输电容:20pF@15V
类型:1个N沟道+1个P沟道
功率:950mW
栅极电荷:5.2nC@10V
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:2.5A€3A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:52mΩ@10V,2.5A
阈值电压:1.5V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020UFDB-7
功率:860mW
漏源电压:30V
输入电容:383pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:21mΩ@6A,10V
类型:1个N沟道+1个P沟道
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:8.8nC@10V
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001
阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:6.1A€6A
栅极电荷:7.8nC@10V
类型:1个N沟道+1个P沟道
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V
输入电容:343pF@15V€870pF@15V
ECCN:EAR99
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存: