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    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020UFDB-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020UFDB-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.7V@250μA

    栅极电荷:8.8nC@10V

    输入电容:383pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3025LSD-13 起订数2500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3025LSD-13 起订数2500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:9.8nC@10V

    输入电容:501pF@15V

    连续漏极电流:6.5A€4.2A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:20mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3025LSD-13 起订数1250个
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3025LSD-13 起订数1250个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:9.8nC@10V

    输入电容:501pF@15V

    连续漏极电流:6.5A€4.2A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:20mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT3650J 起订45个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT3650J 起订45个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT3650J

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA€2.5V@250μA

    栅极电荷:14.8nC@10V€11.1nC@10V

    输入电容:575pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:66.5pF@15V€66pF@15V

    导通电阻:32mΩ@10V,6A€17mΩ@10V,6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4503A-TP 起订11个装
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4503A-TP 起订11个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ4503A-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:5.2nC@10V

    输入电容:255pF@15V

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:35pF@15V

    导通电阻:30mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6601LVT-7 起订数84000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6601LVT-7 起订数84000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6601LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:422pF@15V

    连续漏极电流:3.8A€2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订数15000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订数15000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008CBKS,115 起订数78000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008CBKS,115 起订数78000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008CBKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3025LSD-13 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3025LSD-13 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:9.8nC@10V

    输入电容:501pF@15V

    连续漏极电流:6.5A€4.2A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:20mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8958B 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8958B 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:6.4A€4.5A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:26mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM4606 起订1200个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM4606 起订1200个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM4606

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:7.5nC@10V

    输入电容:398pF@15V

    连续漏极电流:6.9A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:61pF@15V

    导通电阻:19mΩ@10V,6.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM6333C 起订26个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM6333C 起订26个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM6333C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:5.2nC@10V

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:2.5A€3A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:20pF@15V

    导通电阻:52mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM6333C 起订600个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM6333C 起订600个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM6333C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:5.2nC@10V

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:2.5A€3A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:20pF@15V

    导通电阻:52mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM6333C 起订30个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM6333C 起订30个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM6333C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:5.2nC@10V

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:2.5A€3A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:20pF@15V

    导通电阻:52mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM6333C 起订1200个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM6333C 起订1200个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM6333C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:950mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:5.2nC@10V

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:2.5A€3A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:20pF@15V

    导通电阻:52mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT3650J 起订100个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT3650J 起订100个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT3650J

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA€2.5V@250μA

    栅极电荷:14.8nC@10V€11.1nC@10V

    输入电容:575pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:66.5pF@15V€66pF@15V

    导通电阻:32mΩ@10V,6A€17mΩ@10V,6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM6333C 起订1200个装
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM6333C 起订1200个装

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM6333C

    漏源电压:30V

    反向传输电容:20pF@15V

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    功率:950mW

    栅极电荷:5.2nC@10V

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:2.5A€3A

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:52mΩ@10V,2.5A

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020UFDB-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020UFDB-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020UFDB-7

    功率:860mW

    漏源电压:30V

    输入电容:383pF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    阈值电压:1.7V@250μA

    栅极电荷:8.8nC@10V

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    栅极电荷:7.8nC@10V

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    ECCN:EAR99

    功率:1.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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