采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
输入电容：1.23nF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
输入电容：1.23nF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
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