包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA2

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：6A

类型：MOSFET

导通电阻：660mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA2

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：6A

类型：MOSFET

导通电阻：660mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA2

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：6A

类型：MOSFET

导通电阻：660mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1000psc

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

功率：62.5W

阈值电压：4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：800V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA2

功率：62.5W

阈值电压：3.5V

包装方式：Reel

漏源电压：650V

工作温度：-55℃~+150℃

栅极电荷：22nC

连续漏极电流：6A

ECCN：EAR99

导通电阻：660mΩ

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1