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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ910EL-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ910EL-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2832pF@50V

    连续漏极电流:70A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4212H-117PXKMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4212H-117PXKMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI4212H-117PXKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18W

    阈值电压:5V@250µA

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:72.5mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8DN10LF3 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL8DN10LF3 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8DN10LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ990EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ990EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ990EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@25V€650pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4892 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4892 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4892

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS990DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L35ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L35ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N10S4L35ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:2.1V@16µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1105pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB70EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB70EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:95mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L35AATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L35AATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N10S4L35AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:2.1V@16µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1105pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB68EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB68EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K52FRATB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K52FRATB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K52FRATB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K51TR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K51TR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K51TR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:325mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHM792TRPBF 起订824个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHM792TRPBF 起订824个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHM792TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:4V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:251pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:195mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB70EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB70EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:95mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K29-100EX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K29-100EX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7K29-100EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2436pF@25V

    连续漏极电流:29.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7942DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7942DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:49mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3601N 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3601N 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3601N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:153pF@50V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:500mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L35ATMA1 起订622个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L35ATMA1 起订622个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":75014,"23+":145433,"24+":6509}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N10S4L35ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:2.1V@16µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1105pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB70EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB70EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:95mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG16N10S4L61AATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG16N10S4L61AATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG16N10S4L61AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:29W

    阈值电压:2.1V@90µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:61mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3992 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3992 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3992

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB68EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB68EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS990DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L22AATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L22AATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N10S4L22AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.1V@25µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1755pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K51TR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K51TR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K51TR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:325mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08DN8TA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08DN8TA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@50V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:250mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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