品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3135LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K11TCR
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9945
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K11TCR
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K11TCR
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89141
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:398pF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3135LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K11TCR
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89141
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:398pF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K31FRATB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3135LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89141
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:398pF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89141
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:398pF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89141
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:398pF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3135LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K11TCR
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89141
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:398pF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3135LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K11TCR
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: