品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS944ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@1.25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5948DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:82mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€23W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4840
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4915}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMD6N03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.29W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8602M-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7810
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:542pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€23W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":342000,"11+":230970,"14+":243000,"15+":198000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2412-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@3A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4740,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":22000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FW274-TL-E
工作温度:150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:37mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:955pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS966ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:572pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:20.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7904BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:17.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@7.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS944ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@1.25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS944ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@1.25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4840
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: