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    类型: 2N沟道(双)
    连续漏极电流: 6A
    当前匹配商品:300+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS944ENW-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS944ENW-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS944ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@1.25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6912A 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6912A 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6912A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:575pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5948DU-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5948DU-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5948DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@20V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:82mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4840 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4840 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4840

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD6N03R2G 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD6N03R2G 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":4915}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMD6N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.29W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8602M-TL-H 起订1283个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8602M-TL-H 起订1283个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8602M-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7810 起订5000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7810 起订5000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7810

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:542pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2412-TL-H 起订612个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2412-TL-H 起订612个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":342000,"11+":230970,"14+":243000,"15+":198000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2412-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO220N03MDGXUMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":4740,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FW274-TL-E 起订434个装
    onsemi Mosfet场效应管 FW274-TL-E 起订434个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":22000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FW274-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:37mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8949 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8949 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8949

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:955pF@20V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS966ENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS966ENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS966ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:572pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@1.25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7216DN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7216DN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7216DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:20.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@20V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7904BDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7904BDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7904BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:17.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@7.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订5000个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订5000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS944ENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS944ENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS944ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@1.25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS944ENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS944ENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS944ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@1.25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4840 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4840 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4840

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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