品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8602M-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":342000,"11+":230970,"14+":243000,"15+":198000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2412-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@3A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":22000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FW274-TL-E
工作温度:150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:37mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":22000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FW274-TL-E
工作温度:150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:37mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K13TCR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:390pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2412-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@3A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FW274-TL-E
工作温度:150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:37mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FW274-TL-E
工作温度:150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:37mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: