销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200mW

输入电阻：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：NPN - 预偏压

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1