品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7800_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:92pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2个N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7800_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:92pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2个N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7800_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:92pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2个N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:500mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:5A
类型:MOSFET
导通电阻:25mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:500mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:5A
类型:MOSFET
导通电阻:25mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:500pC@4.5V
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:450mA
类型:2个N沟道
导通电阻:990mΩ@4.5V,100mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7800_R1_00001
功率:350mW
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.6nC@4.5V
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
输入电容:92pF@10V
类型:2个N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5V,1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:500mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:5A
类型:MOSFET
导通电阻:25mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:500mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:5A
类型:MOSFET
导通电阻:25mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:500mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:5A
类型:MOSFET
导通电阻:25mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:500mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:5A
类型:MOSFET
导通电阻:25mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:500mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:5A
类型:MOSFET
导通电阻:25mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:900mV@250μA
输入电容:627pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:900mV@250μA
输入电容:627pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: