采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUR040N02FRATL
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUR040N02FRATL
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUR040N02FRATL
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：23mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：23mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUR040N02FRATL
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2463T1Q-E1-AX
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4V
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2463T1Q-E1-AX
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4V
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2463T1Q-E1-AX
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4V
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TRPBF-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2300
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TRPBF-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：23mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TRPBF-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2300
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2300
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2300
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2463T1Q-E1-AX
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4V
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：23mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TRPBF-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TRPBF-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302S
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@2.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TRPBF-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：23mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302S
功率：1W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@2.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
