采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUR040N02FRATL
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR010N10FHATL
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2308
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，2.6A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2520T1H-T2-AT
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@5V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：785mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2520T1H-T2-AT
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@5V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2308
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，2.6A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K335R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUR040N02FRATL
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K335R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUR040N02FRATL
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327
功率：1W
阈值电压：2.3V@15μA
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：785mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K333R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：117000，"13+"：27000，"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2521T1H-T1-AT
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
输入电容：780pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16.5mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3029LFG-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：11.3nC@10V
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：18.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：23mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N-ES
功率：1W
阈值电压：700mV
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：23mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3402
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：390pF@0V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF@0V
导通电阻：50mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2520T1H-T2-AT
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@5V
输入电容：1.1nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K335R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2.5V@100μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
