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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL2705TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，3.8A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.5V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N03TL
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：92mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024ZTRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：57.5mΩ@10V，3.1A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024ZTRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：57.5mΩ@10V，3.1A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024ZTRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：57.5mΩ@10V，3.1A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.5V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：544pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：25nC@10V
阈值电压：4V@250μA
输入电容：330pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：1.6A
功率：1W
ECCN：EAR99
导通电阻：200mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025N05TL
漏源电压：45V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@2.5A，4.5V
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL035N03TR
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：3.5A
输入电容：350pF@10V
导通电阻：56mΩ@3.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024ZTRPBF
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：14nC@10V
连续漏极电流：5.1A
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：55V
输入电容：340pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
导通电阻：57.5mΩ@10V，3.1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
