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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
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功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
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连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
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功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
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输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
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工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
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功率：1W
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类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：38V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：300mΩ@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：150pF@10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K337R，LF
输入电容：120pF@10V
漏源电压：38V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：1.7V@1mA
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
导通电阻：150mΩ@2A，10V
功率：1W
栅极电荷：3nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：300mΩ@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：150pF@10V
功率：1W
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包装清单：商品主体 * 1
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