采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS900P10DP
功率：65W
阈值电压：1.7V@250μA
连续漏极电流：18A
类型：1个P沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS900P10DP
功率：65W
阈值电压：1.7V@250μA
连续漏极电流：18A
类型：1个P沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN075-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：773pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
