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    集电极电流(Ic)
    集射极击穿电压(Vceo)
    集电集截止电流(Icbo)
    功率: 2W
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:8100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9952TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9952TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.5A€2.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K32HZGTB 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K32HZGTB 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K32HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUS100N02TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF5801TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@360mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 APM4953 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 APM4953 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):APM4953

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:504pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    导通电阻:41mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF 起订11个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF 起订11个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J351R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2106GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@18V

    连续漏极电流:710mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7380TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:73mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFV-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFV-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2010UFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4892 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4892 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4892

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6405 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6405 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6405

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS9342TRPBF 起订11个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS9342TRPBF 起订11个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFTS9342TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@25µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@25V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8M51HZGTB 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8M51HZGTB 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8M51HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@25V€1550pF@25V

    连续漏极电流:3A€2.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C050APTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C050APTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4C050APTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4C100BCTCR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:23.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1660pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18GTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18GTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订1620个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL307SPH6327XTSA1 起订1620个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":1847}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL307SPH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7341TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7341TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7341TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@25V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8M24FRATB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8M24FRATB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8M24FRATB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V€1700pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€3.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068SEQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206GVTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL6372TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL6372TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL6372TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.1V@10µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@25V

    连续漏极电流:8.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17.9mΩ@8.1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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