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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：6706A
功率：2W
阈值电压：1.6V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：107226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2792AGR-E1-AT
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：12.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M6HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@5V€3.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V€230pF@10V
连续漏极电流：5A€3.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：51mΩ@5A，10V€90mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M21HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：21.6nC@5V€28nC@5V
输入电容：2.4nF@10V€1.4nF@10V
连续漏极电流：6A€4A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：46mΩ@4A，10V€25mΩ@6A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS8MA2TCR1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M31HZGTB
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7nC@5V€40nC@10V
输入电容：500pF@10V€2.5nF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5A，10V€65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M21HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：21.6nC@5V€28nC@5V
输入电容：2.4nF@10V€1.4nF@10V
连续漏极电流：6A€4A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：46mΩ@4A，10V€25mΩ@6A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8MB5TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.6nC@20V€51nC@20V
输入电容：2.87nF@20V€530pF@20V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：16.8mΩ@8.5A，10V€19.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS8MA2TCR1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS8MA2TCR1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M6HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.5nC@5V€3.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V€230pF@10V
连续漏极电流：5A€3.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：51mΩ@5A，10V€90mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M31HZGTB
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7nC@5V€40nC@10V
输入电容：500pF@10V€2.5nF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5A，10V€65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M6HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@5V€3.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V€230pF@10V
连续漏极电流：5A€3.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：51mΩ@5A，10V€90mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：107226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2792AGR-E1-AT
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：12.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：6706A
功率：2W
阈值电压：1.6V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：107226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2792AGR-E1-AT
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：12.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4614SC
功率：2W
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：22.8mΩ@4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：90000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2791GR-E1-AT
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：36mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614-ES
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：8.5nC
输入电容：410pF
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：35pF
导通电阻：20mΩ@10V，6.0A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS8MA2TCR1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614-ES
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：8.5nC
输入电容：410pF
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：35pF
导通电阻：20mΩ@10V，6.0A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3650J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA€2.5V@250μA
栅极电荷：14.8nC@10V€11.1nC@10V
输入电容：575pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：66.5pF@15V€66pF@15V
导通电阻：32mΩ@10V，6A€17mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：6706A
功率：2W
阈值电压：1.6V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：6706A
功率：2W
阈值电压：1.6V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4616
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V€12nC@10V
输入电容：520pF@20V€415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4503A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：5.2nC@10V
输入电容：255pF@15V
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：35pF@15V
导通电阻：30mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HS8MA2TCR1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V€7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V€365pF@10V
连续漏极电流：5A€7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：80mΩ@5.5A，10V€35mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：6706A
功率：2W
阈值电压：1.6V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M31HZGTB
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7nC@5V€40nC@10V
输入电容：500pF@10V€2.5nF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5A，10V€65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：6706A
功率：2W
阈值电压：1.6V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
