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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN7612HDT1WG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.95nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.9pF@50V
导通电阻：8.5mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H015SK3-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30.1nC@10V
输入电容：2.343nF@50V
连续漏极电流：59A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2398ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN7612HDT1WG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.95nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.9pF@50V
导通电阻：8.5mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN7612HDT1WG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.95nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.9pF@50V
导通电阻：8.5mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2398ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN7612HDT1WG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.95nF@50V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.9pF@50V
导通电阻：8.5mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
栅极电荷：36nC@10V
漏源电压：100V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
