采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14208}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2756GR-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14208}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2756GR-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
连续漏极电流：4A
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：850pF@30V
栅极电荷：17.3nC@10V
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
导通电阻：89mΩ@4A，10V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L040ATTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：850pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：89mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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