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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.23nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.23nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.23nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J36TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM10N954L，EFF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.4V@1.11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3H137TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：119pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
