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    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8667-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:39mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订1272个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订1272个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":216732,"15+":481087,"18+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8315-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS8K11TCR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS8K11TCR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS8K11TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6431-TL-H 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6431-TL-H 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2057}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6431-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6342-TL-W 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6342-TL-W 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6342-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.3V@1mA

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:73mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8667-TL-H 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8667-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:39mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-H 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8315-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6321-TL-W 起订2914个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6321-TL-W 起订2914个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2990}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6321-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:83mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8602M-TL-H 起订1283个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8602M-TL-H 起订1283个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8602M-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LF 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LF 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J808R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP89,115 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP89,115 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP89,115

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@25V

    连续漏极电流:375mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@340mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-W 起订709个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8315-TL-W 起订709个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8315-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LXHF 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LXHF 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8310-TL-H 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8310-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP225,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP225,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP225,115

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.8V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:90pF@25V

    连续漏极电流:225mA

    类型:P沟道

    导通电阻:15Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6336-TL-E 起订2137个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6336-TL-E 起订2137个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3000,"18+":11996}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6336-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@6V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QS8M51TR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 QS8M51TR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QS8M51TR

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V€950pF@25V

    连续漏极电流:2A€1.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:325mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8697R-TL-W 起订676个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8697R-TL-W 起订676个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":230,"22+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8697R-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:11.6mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP220,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP220,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP220,115

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.8V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:90pF@25V

    连续漏极电流:225mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@200mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8657-TL-H 起订1507个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8657-TL-H 起订1507个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":116490}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8657-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@20V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:59mΩ@2A,10V

    漏源电压:35V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP220,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP220,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP220,115

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:90pF@25V

    连续漏极电流:225mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@200mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8672-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8672-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8672-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC 达林顿管 MJD122-TP 起订10个装
    MCC 达林顿管 MJD122-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:达林顿管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):MJD122-TP

    集射极击穿电压(Vceo):100V

    集电极电流(Ic):8A

    功率:1.5W

    集电集截止电流(Icbo):10nA

    工作温度:150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    晶体管类型:NPN

    直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6342-TL-W 起订2063个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6342-TL-W 起订2063个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6342-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:73mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订13个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订13个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP220,115 起订1436个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP220,115 起订1436个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":15000,"19+":19400,"22+":176,"MI+":2422}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP220,115

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:90pF@25V

    连续漏极电流:225mA

    类型:P沟道

    导通电阻:12Ω@200mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP230,135 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP230,135 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP230,135

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.55V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:90pF@25V

    连续漏极电流:210mA

    类型:P沟道

    导通电阻:17Ω@170mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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