采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4468pF@50V
连续漏极电流：11.8A€123A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M51TR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V€950pF@25V
连续漏极电流：2A€1.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4468pF@50V
连续漏极电流：11.8A€123A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：109mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4468pF@50V
连续漏极电流：11.8A€123A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M51TR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V€950pF@25V
连续漏极电流：2A€1.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M51TR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V€950pF@25V
连续漏极电流：2A€1.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7810DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4468pF@50V
连续漏极电流：11.8A€123A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4468pF@50V
连续漏极电流：11.8A€123A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：56.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4468pF@50V
连续漏极电流：11.8A€123A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M51TR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V€950pF@25V
连续漏极电流：2A€1.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
