品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:900pC@4.5V
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:900pC@4.5V
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:485mA
类型:2个N沟道
导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:485mA
类型:2个N沟道
导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:900pC@4.5V
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:900pC@4.5V
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:900pC@4.5V
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:900pC@4.5V
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:900pC@4.5V
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: