品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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输入电容:1.376nF@25V
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导通电阻:7mΩ@27A,10V
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