销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370mW

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：870pC@10V

输入电容：22pF@25V

连续漏极电流：310mA

类型：1个N沟道

导通电阻：3Ω@115mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN65D8LV-13

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370mW

阈值电压：2V

栅极电荷：870pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：310mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370mW

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：870pC@10V

输入电容：22pF@25V

连续漏极电流：310mA

类型：1个N沟道

导通电阻：3Ω@115mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370mW

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：870pC@10V

输入电容：22pF@25V

连续漏极电流：310mA

类型：1个N沟道

导通电阻：3Ω@115mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370mW

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：870pC@10V

输入电容：22pF@25V

连续漏极电流：310mA

类型：1个N沟道

导通电阻：3Ω@115mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370mW

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：870pC@10V

输入电容：22pF@25V

连续漏极电流：310mA

类型：1个N沟道

导通电阻：3Ω@115mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN65D8LV-13

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370mW

阈值电压：2V

栅极电荷：870pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：310mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN65D8LV-13

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370mW

阈值电压：2V

栅极电荷：870pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：310mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370mW

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：870pC@10V

输入电容：22pF@25V

连续漏极电流：310mA

类型：1个N沟道

导通电阻：3Ω@115mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：10000psc

规格型号(MPN)：DMN65D8LV-13

包装方式：Reel

栅极电荷：870pC

导通电阻：3Ω

阈值电压：2V

漏源电压：60V

功率：370mW

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：310mA

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370mW

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：870pC@10V

输入电容：22pF@25V

连续漏极电流：310mA

类型：1个N沟道

导通电阻：3Ω@115mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1