采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ034N04LS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4PS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V
栅极电荷：8nC
包装方式：管件
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI040P04D1-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：3.538nF@20V
连续漏极电流：40A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4PS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V
栅极电荷：8nC
包装方式：管件
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4PS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V
ECCN：IN PROGRESS
栅极电荷：8nC
包装方式：管件
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4PS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V
栅极电荷：8nC
包装方式：管件
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H150G4PS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：4.8V
栅极电荷：8nC
包装方式：管件
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：180mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
