品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
类型:1个N沟道
输入电容:1.1nF@25V
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: