采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB130N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：101.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6124.6pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB130N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：101.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6124.6pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB130N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：101.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6124.6pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT125N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：101.6nC@10V
输入电容：6.1246nF@50V
连续漏极电流：130A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15.1pF@50V
导通电阻：4.1mΩ@10V，60A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT125N10M
工作温度：-55℃~+150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：101.6nC@10V
输入电容：6.1246nF@50V
连续漏极电流：130A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15.1pF@50V
导通电阻：4.1mΩ@10V，60A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：101.6nC@10V
输入电容：6.1246nF@50V
连续漏极电流：130A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB130N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：101.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6124.6pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB130N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：101.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6124.6pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB130N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：101.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6124.6pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK65E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：148A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@32.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：MCB130N10Y-TP
包装方式：卷带（TR）
功率：192W
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：6124.6pF@50V
栅极电荷：101.6nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@60A，10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：100V
连续漏极电流：130A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
