采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC160N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.6V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@28A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC160N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.6V@60µA
栅极电荷：23.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@28A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC160N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.6V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@28A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7480MTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@25V
连续漏极电流：217A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@132A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7946TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6852pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9637-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：22.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2681pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7480MTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@25V
连续漏极电流：217A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@132A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9614-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：20.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2651pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60DM206
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.7V@150µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6530pF@25V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7946TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6852pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6203}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC160N15NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.6V@60µA
栅极电荷：23.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@28A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7946TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6852pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC500N20NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4V@60µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@22A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7480MTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@25V
连续漏极电流：217A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@132A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC160N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.6V@60µA
栅极电荷：23.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@28A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7946TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：212nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6852pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N80S3Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6，5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7480MTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@25V
连续漏极电流：217A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@132A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：129A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
