采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2698，"23+"：705，"MI+"：3464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2698，"23+"：705，"MI+"：3464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2698，"23+"：705，"MI+"：3464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2698，"23+"：705，"MI+"：3464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
