采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：13mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2130K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：85mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，4.5V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：110mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2124K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：134mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@120mA，4.5V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND250K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：13mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3135K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：72mA
类型：N沟道
导通电阻：35Ω@150mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：110mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2130K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：85mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，4.5V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5335K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：110mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：13mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2124K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：134mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@120mA，4.5V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2124K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：134mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@120mA，4.5V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2210N2
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：13mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：13mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2106K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
