品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1403BDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY102PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY102PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@12V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: