采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P02FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@610mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P02FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@610mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY101PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P02FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@610mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P02FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@610mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P02FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@610mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
