采购热线 400-661-9010
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSFW02009
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：P沟道
导通电阻：640mΩ@550mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSFW02009
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：P沟道
导通电阻：640mΩ@550mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2399DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：835pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.1A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA811ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€6.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：116mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS63DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：236nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@10V
连续漏极电流：35.1A€127.5A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7407
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4195pF@10V
连续漏极电流：14.5A€40A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2305UX-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：808pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65XPER
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：618pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：627pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7633DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25501F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.05V@250µA
栅极电荷：1.33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104LP-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS407DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€33W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@15.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
