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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：685，"07+"：255925，"08+"：3250，"09+"：47000，"10+"：2212，"15+"：79412，"16+"：2400，"MI+"：87000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3101FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：30000，"06+"：2633，"07+"：1939，"08+"：49666，"09+"：235413，"10+"：105000，"11+"：30000，"13+"：30000，"14+"：54000，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：606，"22+"：21000，"23+"：57000，"24+"：358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：30000，"06+"：2633，"07+"：1939，"08+"：49666，"09+"：235413，"10+"：105000，"11+"：30000，"13+"：30000，"14+"：54000，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM62P02E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P02XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
