采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR430ATRPBF
功率：110W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@10V，3A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR430ATRPBF
功率：110W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@10V，3A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR2407
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：42A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@10V，25A
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N20F
功率：110W
阈值电压：1.5V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：35nC@5V
输入电容：1.57nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10V，36A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06T4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR430ATRPBF
功率：110W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@10V，3A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@10V，10A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@10V，10A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530NS-JSM
功率：110W
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540NS-JSM
功率：110W
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG50N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：1.9V@250μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF@25V
导通电阻：12.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRL640A
功率：110W
导通电阻：180mΩ@5V，9A
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
输入电容：1.705nF@25V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRL640A
功率：110W
导通电阻：180mΩ@5V，9A
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
输入电容：1.705nF@25V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11NK40ZT4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@4.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR2405TRPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.43nF@25V
连续漏极电流：56A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，34A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR2407
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：42A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@10V，25A
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：580pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@10V，5.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1.24nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1018EPBF
功率：110W
阈值电压：4V@100μA
包装方式：管件
连续漏极电流：79A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.4mΩ@10V，47A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
