品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06T4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG50N06
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:1.9V@250μA
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:165pF@25V
导通电阻:12.5mΩ@4.5V,15A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1018EPBF
功率:110W
阈值电压:4V@100μA
包装方式:管件
连续漏极电流:79A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.4mΩ@10V,47A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG50N06
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:1.9V@250μA
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:165pF@25V
导通电阻:12.5mΩ@4.5V,15A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-65℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:66nC@4.5V
输入电容:2nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@10V,30A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG50N06
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:1.9V@250μA
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:165pF@25V
导通电阻:12.5mΩ@4.5V,15A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG50N06
功率:110W
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:50A
阈值电压:1.9V@250μA
栅极电荷:58nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:2.2nF@25V
导通电阻:12.5mΩ@4.5V,15A
反向传输电容:165pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:66nC@4.5V
导通电阻:14mΩ@10V,30A
功率:110W
连续漏极电流:60A
输入电容:2nF@25V
类型:1个N沟道
阈值电压:1V@250μA
工作温度:-65℃~+175℃
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: