采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q(M
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，30A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q(M
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，30A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q(M
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，30A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q(M
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，30A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q(M
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，30A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS006N08MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：78W
阈值电压：4V
栅极电荷：30nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：32A
类型：MOSFET
导通电阻：6mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q(M
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，30A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS006N08MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：78W
阈值电压：4V
栅极电荷：30nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：32A
类型：MOSFET
导通电阻：6mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
