品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20P10KE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.354nF@50V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:94mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":54700,"23+":4070,"MI+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
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输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":54700,"23+":4070,"MI+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":54700,"23+":4070,"MI+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2100pF@50V
栅极电荷:22nC@10V
漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20P10KE
连续漏极电流:20A
功率:69W
栅极电荷:70nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个P沟道
导通电阻:94mΩ
漏源电压:100V
阈值电压:3V@250μA
输入电容:3.354nF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20P10KE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.354nF@50V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:94mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20P10KE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.354nF@50V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:94mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: