品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@300V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK56A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@60V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@28A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK090A65Z,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.27mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2780pF@300V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK650A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.16mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1320pF@300V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK650A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.16mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1320pF@300V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@300V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A65W5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK28A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@300V
连续漏极电流:27.6A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@13.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK56A12N1,S4X
功率:45W
输入电容:4200pF@60V
工作温度:150℃
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
漏源电压:120V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:69nC@10V
导通电阻:7.5mΩ@28A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X
导通电阻:160mΩ@11A,10V
功率:45W
工作温度:150℃
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:22A
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@300V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK090A65Z,S4X
输入电容:2780pF@300V
功率:45W
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:650V
栅极电荷:47nC@10V
阈值电压:4V@1.27mA
包装方式:管件
导通电阻:90mΩ@15A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25A60X5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@300V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK090A65Z,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.27mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2780pF@300V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100A10N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W,S5VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@570µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK72A08N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:散装
输入电容:8200pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@40A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7A90E,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@3.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7A90E,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@3.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W,S5VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W,S5VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100A10N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK650A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.16mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1320pF@300V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100A10N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: