品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP36N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4785pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA36N60NF
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4245pF@100V
连续漏极电流:34.9A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA36N60NF
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4245pF@100V
连续漏极电流:34.9A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP36N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4785pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):450psc
规格型号(MPN):FCA36N60NF
连续漏极电流:34.9A
导通电阻:95mΩ@18A,10V
输入电容:4245pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
栅极电荷:112nC@10V
漏源电压:600V
功率:312W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA36N60NF
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4245pF@100V
连续漏极电流:34.9A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA36N60NF
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4245pF@100V
连续漏极电流:34.9A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP36N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4785pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA36N60NF
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4245pF@100V
连续漏极电流:34.9A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA36N60NF
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4245pF@100V
连续漏极电流:34.9A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP36N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4785pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP36N60N
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
连续漏极电流:36A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:4785pF@100V
功率:312W
包装清单:商品主体 * 1
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