包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC0906NS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：63A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF10N62K3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：680mΩ

漏源电压：620V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8451

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：990pF@20V

连续漏极电流：9A€28A

类型：1个N沟道

导通电阻：24mΩ@10V，9A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8451

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：990pF@20V

连续漏极电流：9A€28A

类型：1个N沟道

导通电阻：24mΩ@10V，9A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8451

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：990pF@20V

连续漏极电流：9A€28A

类型：1个N沟道

导通电阻：24mΩ@10V，9A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：8881，"19+"：500，"9999"：20，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF10N62K3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：680mΩ

漏源电压：620V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF10N62K3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：680mΩ

漏源电压：620V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJMF360N60EC_T0_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：18.7nC@10V

输入电容：735pF@400V

连续漏极电流：11A

类型：1个N沟道

导通电阻：360mΩ@5.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC0906NS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：63A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8451

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：990pF@20V

连续漏极电流：9A€28A

类型：1个N沟道

导通电阻：24mΩ@10V，9A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC0906NS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：63A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8451

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：990pF@20V

连续漏极电流：9A€28A

类型：1个N沟道

导通电阻：24mΩ@10V，9A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8451

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：990pF@20V

连续漏极电流：9A€28A

类型：1个N沟道

导通电阻：24mΩ@10V，9A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8451

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：990pF@20V

连续漏极电流：9A€28A

类型：1个N沟道

导通电阻：24mΩ@10V，9A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8451

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：990pF@20V

连续漏极电流：9A€28A

类型：1个N沟道

导通电阻：24mΩ@10V，9A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8451

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：990pF@20V

连续漏极电流：9A€28A

类型：1个N沟道

导通电阻：24mΩ@10V，9A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STF10N62K3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：680mΩ

漏源电压：620V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8451

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：990pF@20V

连续漏极电流：9A€28A

类型：1个N沟道

导通电阻：24mΩ@10V，9A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：8881，"19+"：500，"9999"：20，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：8881，"19+"：500，"9999"：20，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：8881，"19+"：500，"9999"：20，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT3510G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：32.3nC@Vgs=10V

输入电容：1.53nF@Vds=15V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

反向传输电容：198pF@Vds=15V

导通电阻：7.5mΩ@10V，10A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT3718J

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：31.2nC@10V

输入电容：1.363nF@15V

连续漏极电流：16A

类型：1个P沟道

反向传输电容：210pF@15V

导通电阻：13mΩ@10V，10A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8451

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：990pF@20V

连续漏极电流：9A€28A

类型：1个N沟道

导通电阻：24mΩ@10V，9A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJMF360N60EC_T0_00001

阈值电压：4V@250μA

导通电阻：360mΩ@5.5A，10V

工作温度：-55℃~+150℃

类型：1个N沟道

功率：30W

连续漏极电流：11A

漏源电压：600V

输入电容：735pF@400V

栅极电荷：18.7nC@10V

包装清单：商品主体 * 1