品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:132W
阈值电压:4V@239μA
栅极电荷:25nC@6V
输入电容:3.1nF@50V
连续漏极电流:113A
类型:1个N沟道
反向传输电容:23pF@50V
导通电阻:3.8mΩ@10V,46A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FMM22-05PF
工作温度:-55℃~150℃
功率:132W
阈值电压:5V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2630pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:270mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK125N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:132W
阈值电压:5V
栅极电荷:29nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:21A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5435pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT3N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:132W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:830pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@1.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT3N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:132W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:830pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@1.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT3N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:132W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:830pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@1.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FMM22-05PF
工作温度:-55℃~150℃
功率:132W
阈值电压:5V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2630pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:270mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: