采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：132W
阈值电压：4V@239μA
栅极电荷：25nC@6V
输入电容：3.1nF@50V
连续漏极电流：113A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@50V
导通电阻：3.8mΩ@10V，46A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS18N20RA
功率：132W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：132W
反向传输电容：23pF@50V
导通电阻：3.8mΩ@10V，46A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：25nC@6V
连续漏极电流：113A
漏源电压：100V
阈值电压：4V@239μA
输入电容：3.1nF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW048N65C，S1F
功率：132W
阈值电压：5V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1.362nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@20A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW048N65C，S1F
功率：132W
阈值电压：5V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1.362nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@20A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：132W
阈值电压：4V@239μA
栅极电荷：25nC@6V
输入电容：3.1nF@50V
连续漏极电流：113A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@50V
导通电阻：3.8mΩ@10V，46A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW048N65C，S1F
功率：132W
阈值电压：5V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1.362nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@20A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：132W
反向传输电容：23pF@50V
导通电阻：3.8mΩ@10V，46A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：25nC@6V
连续漏极电流：113A
漏源电压：100V
阈值电压：4V@239μA
输入电容：3.1nF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
