品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP1500-100QSJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:4V
栅极电荷:3.1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:700mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP1500-100QSJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:4V
栅极电荷:3.1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:700mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:9mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:1.7W
输入电容:2309pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:9mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:1.7W
输入电容:2309pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:9mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
漏源电压:100V
功率:1.7W
输入电容:2309pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP1500-100QSJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:4V
栅极电荷:3.1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:700mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:2.309nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP1500-100QSJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:4V
栅极电荷:3.1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:700mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP1500-100QSJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:4V
栅极电荷:3.1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:700mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3882}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP1500-100QSJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:700mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP1500-100QSJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:4V
栅极电荷:3.1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:700mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):PXP1500-100QSJ
阈值电压:4V
包装方式:Reel
连续漏极电流:700mA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:1.5Ω
漏源电压:100V
栅极电荷:3.1nC
类型:MOSFET
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":3882}
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):PXP1500-100QSJ
阈值电压:4V
包装方式:Reel
连续漏极电流:700mA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:1.5Ω
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
栅极电荷:3.1nC
类型:MOSFET
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存: