采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB110N20N3LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.2V@260µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP48N20T
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB110N20N3LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.2V@260µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB110N20N3LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.2V@260µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB110N20N3LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.2V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB110N20N3LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.2V@260µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB110N20N3LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.2V@260µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB110N20N3LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.2V@260µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB110N20N3LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.2V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP48N20T
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP48N20T
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP48N20T
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@24A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB110N20N3LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.2V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB110N20N3LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.2V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB110N20N3LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.2V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD50N20
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：244nC@10V
输入电容：3.538nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：280pF@25V
导通电阻：30mΩ@10V，25A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200P，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB110N20N3LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.2V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@88A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
